多国芯片巨头上调报价，存储行业或将迎来长期短缺与超级周期。
《科创板日报》10月5日讯近期，多家全球知名的芯片企业相继提高产品价格。据央视财经报道，过去半年里，全球存储芯片价格持续上升。尤其是最近一个月，涨价的消息不断增多，愈发频繁。
据《科创板日报》不完全统计：
9月下旬，三星电子宣布将对部分DRAM产品在第四季度提价15%至30%，NAND闪存价格则计划上调5%至10%。这一调整反映出当前内存市场供需关系的变化，以及存储芯片价格在经历一段时间的低迷后开始回暖。从行业角度来看，提价有助于缓解厂商的利润压力，同时也可能对下游设备制造商带来一定的成本上升压力。不过，考虑到全球科技产业对存储需求依然旺盛，此次调价或将成为行业复苏的一个信号。
NAND闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价，价格涨幅约10%。
9月16日，西部数据已通知客户，将逐步上调所有HDD（机械硬盘）产品的价格。
9月上旬，闪迪宣布将对所有渠道及消费者客户的NAND产品价格上调10%以上。
涉及价格上涨的存储芯片主要包括DRAM和NAND两类：DRAM是一种易失性半导体存储器，具有较快的读取速度，但断电后数据会立即丢失，无法长期保存，近期受到市场关注的HBM也属于此类；而NAND则属于非易失性存储器，断电后数据仍能保持稳定，通常用于存储大量数据和模型参数，如SSD、HDD等均属于此类。
根据摩根士丹利的最新研报预测，人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个“超级周期”。就在日前（10月1日），OpenAI与三星电子、SK海力士宣布达成初步供货协议，两家韩国公司将为“星际之门”（Stargate）项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示，OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆。
SK海力士在公告中表示，这一需求预测是当前全球高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍以上，显示出“星际之门”项目规模庞大以及全球人工智能发展的迅猛速度。
进一步细分来看，在DRAM、HBM普遍昂贵且供给紧张的背景下，NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择。
据悉，三星电子正在启动HBF高带宽闪存产品的概念设计及相关前期开发工作。HBF是一种类似于HBM的新型存储器架构，专门面向AI应用，其主要区别在于HBF采用NAND闪存替代传统的DRAM。被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，当前人工智能发展的瓶颈在于内存带宽和容量，而速度虽然较慢但容量更大的NAND闪存可以作为有效补充。
摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。
此外，群联电子董事长潘健成近日在接受采访时表示，SSD正逐渐成为大容量存储的主流选择，但目前与HDD相比，市场占比仍为2:8。由于SSD新增产能不足，预计从2026年起，NAND闪存将出现严重短缺，且未来十年供应都将处于紧张状态。 从当前行业发展来看，SSD在性能和可靠性方面具有明显优势，尤其在企业级和高端消费市场中表现突出。然而，HDD凭借成本低、容量大等特性，在大规模数据存储领域仍占据主导地位。随着云计算、人工智能等技术的快速发展，对存储的需求将持续增长，若NAND闪存供应无法及时跟上，可能会对整个产业链产生连锁反应。因此，如何平衡产能扩张与市场需求，将成为行业亟需解决的问题。
与此同时，NAND Flash价格涨幅已超过DRAM。根据CFM闪存市场报价，2025年第三季度，NAND Flash市场综合价格指数上涨5%，而DRAM市场综合价格指数则上涨19.2%。从9月单月数据来看，NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%，DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。 从当前市场走势看，NAND Flash的价格波动明显加剧，反映出供需关系的变化可能正在向有利于供应商的方向倾斜。相比之下，DRAM价格虽仍处于上涨通道，但增速有所放缓，这或许与部分终端需求的阶段性调整有关。整体来看，存储市场的分化趋势正在进一步显现，值得持续关注后续发展。
展望后续，TrendForce预计2025年第四季度NAND Flash价格将上涨5%至10%。中信证券指出，后续数据中心eSSD的涨价幅度可能超出市场预期，而2026年大容量QLC SSD有望迎来爆发式增长。 从当前市场走势来看，NAND Flash价格的回升反映出供需关系正在发生微妙变化，尤其是在存储需求持续增长的背景下，供应链的紧张态势或将推动价格上涨。同时，eSSD和QLC SSD作为高性能存储解决方案，其技术升级与成本优化正逐步显现，未来在数据中心等关键领域的应用空间将进一步扩大。这一趋势不仅有助于提升行业整体盈利能力，也预示着存储产业正朝着更高性能、更大容量的方向加速演进。
