科技财经时报2026年04月07日 14:40消息，内存价格暴涨，三星Q1净利飙升800%，Q2再涨30%。
本周二，全球最大的存储芯片制造商三星电子公布其2024年第一季度初步财报数据：营业利润预计达57.2万亿韩元（约合人民币2610.87亿元），较去年同期增长逾八倍，创历史单季新高，大幅超出LSEG统计的分析师平均预期值（40.6万亿韩元）。这一爆发式增长并非偶然，而是人工智能基础设施建设加速所引发的存储芯片供需关系剧烈重构的直接结果——全球AI数据中心对高带宽内存（HBM）及大容量DRAM的需求呈井喷态势，导致供应链持续承压，价格持续攀升。
在强劲需求支撑下，三星电子已与主要客户完成第二季度DRAM价格谈判并签署供货合同，整体平均售价较第一季度再上涨约30%。值得注意的是，此次调价覆盖全品类DRAM产品，包括面向AI服务器的HBM、通用服务器用DDR5、PC端LPDDR5X以及移动终端用低功耗内存。这意味着，继第一季度DRAM均价已飙升近100%之后，市场正经历连续两轮显著提价。若以2025年初（即本轮涨价启动前）的价格为基准，当前第二季度供应价已达基准水平的2.6倍——这不仅是成本传导，更是技术稀缺性与产能弹性双重受限下的市场定价权回归。
财报数据显示，三星电子2024年第一季度营收预计为133万亿韩元（约合人民币6070.72亿元），同比增长68%；营业利润环比上一季度（2023年第四季度）的20万亿韩元激增近186%，几乎实现翻两番。这一跃升不仅刷新自身纪录，更标志着存储芯片行业正式告别长达两年的下行周期——自2022年下半年起，受消费电子需求疲软与库存调整影响，DRAM价格曾连续六个季度下跌，三星一度陷入“有产能、无订单、无利润”的困境。而今，AI成为最强逆周期引擎，将存储芯片从传统终端配角，推至算力基建核心枢纽位置。
更值得深思的是，本轮涨价并非孤立现象。据韩媒报道，SK海力士与美光科技均已启动第二季度DRAM供应协议谈判，并就价格上涨幅度及交付条款展开密集磋商。三大原厂步调高度一致，反映出行业已形成事实上的价格协同机制。在当前HBM3/HBM4产能仍被头部AI芯片厂商优先锁定、先进制程封装良率尚未完全释放的背景下，下游服务器OEM、云服务商乃至终端品牌商的议价空间正被急剧压缩。这不是简单的“供不应求”，而是高端存储芯片正加速演变为具备战略属性的关键工业品。
回望一年前，三星曾因HBM2e向HBM3过渡滞后，在AI内存赛道一度掉队，时任CEO甚至公开致歉。彼时市场质疑声不断：这家长期引领存储技术的巨头是否正在失去技术敏感性？而今，随着三星HBM4芯片通过英伟达认证并进入量产爬坡阶段，叠加其在1β纳米DRAM工艺上的领先量产能力，公司不仅扭转颓势，更借AI浪潮完成了一次关键的战略校准。这场“翻身仗”的本质，是技术追赶与产业节奏重合的结果——当整个行业突然需要更高带宽、更低功耗、更小体积的内存解决方案时，三星过去数年在先进封装和EUV微缩工艺上的持续投入，终于迎来集中兑现。
同样受益于AI驱动，美国存储巨头美光科技上月宣布，其截至5月末的第三财季营收将高于华尔街预期；而在此前结束的第二财季（截至2月末），该公司已凭借AI相关订单实现创纪录盈利。这印证了一个趋势：全球存储产业的价值重心，正从“消费电子周期”全面转向“AI算力周期”。对于中国产业链而言，这既是警醒——在HBM等尖端领域仍面临设备、材料、设计工具等多重瓶颈；也是契机——国产替代正从成熟制程DRAM加速向中高端接口标准和系统级集成方案延伸。当存储芯片不再只是“内存条”，而成为大模型训练与推理的“血液通道”，其战略意义早已超越单一器件维度。
